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納秒SOI光電探測(cè)器芯片，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

高速SOI光電探測(cè)器芯片，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

SOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開(kāi)關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低

SOI芯片可調(diào)光濾波器隔離度可調(diào)該產(chǎn)品基于硅基熱調(diào)諧微環(huán)結(jié)構(gòu)，光濾波器的中心波長(zhǎng)和隔離度可調(diào)，實(shí)現(xiàn)了多通道光濾波器的單片集成，通過(guò)特殊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了偏振無(wú)關(guān)特性，光電封裝，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)。

單片集成 7bit 可調(diào)光延時(shí)器芯片高速切換將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)

SOI芯片式高速光開(kāi)關(guān)?高集成度芯片化，該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開(kāi)關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低

高速SOI芯片光電探測(cè)器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)高速響應(yīng)的可調(diào)光路衰減，實(shí)現(xiàn)多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，衰減范圍大，調(diào)節(jié)精度高，衰減值穩(wěn)定，響應(yīng)時(shí)間為納秒級(jí)，可在高速、低時(shí)延系統(tǒng)中應(yīng)用。